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黄如
院士
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       1991年获东南大学电子工程系学士学位,1994年获东南大学电子工程系硕士学位,1997年获北京大学博士学位。

       现任北京大学信息科学技术学院教授,2015年12月7日,当选中国科学院信息技术科学部院士。

       长期从事半导体新器件新工艺研究。面向不同电路系统要求和不同集成电路技术代,提出并研制出了准SOI新结构器件、BOI FinFET新结构器件、肖特基-隧穿混合控制新机理器件以及逻辑-存储可融合兼容的新型器件;提出了可大规模集成的围栅纳米线器件新工艺方法,系统揭示了器件关键特性的新变化及其物理根源;建立了纳米尺度器件特性表征体系,提出了新的涨落性/可靠性分析表征方法及模型。部分成果转移到国内外著名IC公司。在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文(自2007年以来连续9年在IEDM上发表论文22篇);研究成果连续3次被列入国际半导体技术发展路线图ITRS;应邀做国际会议大会和特邀报告30余次;获150余项授权发明专利(其中授权美国专利29项)。

       曾获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖、教育部自然科学一等奖、教育部科技进步一等奖、北京市科学技术一等奖(2次)、中国青年科技奖等多项国家和省部级奖励。担任国家基金委创新研究群体学术带头人,入选教育部长江特聘教授、国家杰青、国家百千万人才工程国家级人选等。